Vishay Siliconix - SI4946BEY-T1-E3

KEY Part #: K6522097

SI4946BEY-T1-E3 Τιμολόγηση (USD) [161909τεμ]

  • 1 pcs$0.22844
  • 2,500 pcs$0.19308

Αριθμός εξαρτήματος:
SI4946BEY-T1-E3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - RF, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Θυρίστορ - SCRs and Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI4946BEY-T1-E3. Το SI4946BEY-T1-E3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI4946BEY-T1-E3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4946BEY-T1-E3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI4946BEY-T1-E3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 25nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 840pF @ 30V
Ισχύς - Μέγ : 3.7W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SO

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει