Vishay Semiconductor Diodes Division - RGF1J-E3/67A

KEY Part #: K6455131

RGF1J-E3/67A Τιμολόγηση (USD) [550125τεμ]

  • 1 pcs$0.07095
  • 1,500 pcs$0.07060
  • 3,000 pcs$0.06437
  • 7,500 pcs$0.06021
  • 10,500 pcs$0.05606

Αριθμός εξαρτήματος:
RGF1J-E3/67A
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1J-E3/67A. Το RGF1J-E3/67A μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το RGF1J-E3/67A, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGF1J-E3/67A Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : RGF1J-E3/67A
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
Σειρά : SUPERECTIFIER®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 600V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.3V @ 1A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 250ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 600V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 8.5pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-214BA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-214BA (GF1)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 175°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • RURD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V

  • DB3X314K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 30MA MINI3.

  • BAT46WFILM

    STMicroelectronics

    DIODE SCHOTTKY 100V 150MA SOT323. Schottky Diodes & Rectifiers 150mA 100 Volt

  • MBRB40250TG

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers REC D2PAK 40A 250V SHOTTKY

  • VS-50WQ04FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • BAV20W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM