Rohm Semiconductor - 1SS355TE-17

KEY Part #: K6457863

1SS355TE-17 Τιμολόγηση (USD) [2527605τεμ]

  • 1 pcs$0.01657
  • 3,000 pcs$0.01648

Αριθμός εξαρτήματος:
1SS355TE-17
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2. Diodes - General Purpose, Power, Switching SWITCH 90V 100MA
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - JFET and Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Rohm Semiconductor 1SS355TE-17. Το 1SS355TE-17 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 1SS355TE-17, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1SS355TE-17 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : 1SS355TE-17
Κατασκευαστής : Rohm Semiconductor
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Not For New Designs
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 80V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 100mA
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.2V @ 100mA
Ταχύτητα : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 4ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 100nA @ 80V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 3pF @ 0.5V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : SC-90, SOD-323F
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : UMD2
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : 150°C (Max)

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns