Infineon Technologies - F475R07W2H3B51BPSA1

KEY Part #: K6534568

F475R07W2H3B51BPSA1 Τιμολόγηση (USD) [1408τεμ]

  • 1 pcs$30.74305

Αριθμός εξαρτήματος:
F475R07W2H3B51BPSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies F475R07W2H3B51BPSA1. Το F475R07W2H3B51BPSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το F475R07W2H3B51BPSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F475R07W2H3B51BPSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : F475R07W2H3B51BPSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : -
Διαμόρφωση : Three Phase Inverter
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 650V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 75A
Ισχύς - Μέγ : 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.55V @ 15V, 37.5A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 1mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 4.7nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : Yes
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Module

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A2P75S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A1C15S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 15A ACEPACK1.