Αριθμός εξαρτήματος :
FDD6680
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta), 46A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
18nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1230pF @ 15V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
3.3W (Ta), 56W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
D-PAK (TO-252)
Πακέτο / Θήκη :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63