Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO4406AL_103

KEY Part #: K6400844

[3256τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    AO4406AL_103
    Κατασκευαστής:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 30V 8SOIC.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4406AL_103. Το AO4406AL_103 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το AO4406AL_103, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    AO4406AL_103 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : AO4406AL_103
    Κατασκευαστής : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 8SOIC
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 13A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 12A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 17nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 910pF @ 15V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 3.1W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SOIC
    Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IRLR2905ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IXTY1R4N60P TRL

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

    • 2SK3045

      Panasonic Electronic Components

      MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

    • IPB04N03LA

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

    • IPB04N03LAT

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

    • SPB02N60S5ATMA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263.