Αριθμός εξαρτήματος :
FQI9N25CTU
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
250V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
8.8A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
430 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
35nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
710pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
3.13W (Ta), 74W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
I2PAK (TO-262)
Πακέτο / Θήκη :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA