Infineon Technologies - IRL6372TRPBF

KEY Part #: K6523183

IRL6372TRPBF Τιμολόγηση (USD) [239454τεμ]

  • 1 pcs$0.15447
  • 4,000 pcs$0.13247

Αριθμός εξαρτήματος:
IRL6372TRPBF
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IRL6372TRPBF. Το IRL6372TRPBF μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IRL6372TRPBF, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL6372TRPBF Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IRL6372TRPBF
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
Σειρά : HEXFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 8.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 10µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1020pF @ 25V
Ισχύς - Μέγ : 2W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SO

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει