NXP USA Inc. - BUK761R3-30E,118

KEY Part #: K6404515

[1985τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    BUK761R3-30E,118
    Κατασκευαστής:
    NXP USA Inc.
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα NXP USA Inc. BUK761R3-30E,118. Το BUK761R3-30E,118 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BUK761R3-30E,118, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK761R3-30E,118 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : BUK761R3-30E,118
    Κατασκευαστής : NXP USA Inc.
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
    Σειρά : TrenchMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 154nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 11960pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 357W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : D2PAK
    Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • TN0702N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3.

    • AUIRLS3034-7P

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7P.

    • AUIRLR3636

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 99A DPAK.

    • AUIRLR3915

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 61A DPAK.

    • AUIRLR3114Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.

    • AUIRLR3110Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 63A DPAK.