JAN1N6073 Τιμολόγηση (USD) [3139τεμ]
- 100 pcs$7.61477
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JAN1N6073
- Κατασκευαστής:
- Microsemi Corporation
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes MIL, QPL PART, 0.85A 50V ULTRAFAST RECT
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - JFET and Θυρίστορ - SCRs ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation JAN1N6073. Το JAN1N6073 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το JAN1N6073, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
JAN1N6073 Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
JAN1N6073
Κατασκευαστής :
Microsemi Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
Σειρά :
Military, MIL-PRF-19500/503
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος διόδου :
Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
50V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
850mA
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
2.04V @ 9.4A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
30ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
1µA @ 50V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
-
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο / Θήκη :
A, Axial
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
A-PAK
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 155°C
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
UD0506T-TL-H
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
Hot Parts
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18