Microsemi Corporation - JAN1N6623U

KEY Part #: K6442402

[3146τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    JAN1N6623U
    Κατασκευαστής:
    Microsemi Corporation
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Θυρίστορ - SCRs ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation JAN1N6623U. Το JAN1N6623U μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το JAN1N6623U, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N6623U Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : JAN1N6623U
    Κατασκευαστής : Microsemi Corporation
    Περιγραφή : DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF
    Σειρά : Military, MIL-PRF-19500/585
    Κατάσταση εξαρτήματος : Active
    Τύπος διόδου : Standard
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 800V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.55V @ 1A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 30ns
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 500nA @ 800V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : -
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο / Θήκη : SQ-MELF, A
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : D-5A
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 150°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • STPS20M100SFP

      STMicroelectronics

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.