Renesas Electronics America - HS54095TZ-E

KEY Part #: K6404113

[2124τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    HS54095TZ-E
    Κατασκευαστής:
    Renesas Electronics America
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Θυρίστορες - DIAC, SIDAC ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Renesas Electronics America HS54095TZ-E. Το HS54095TZ-E μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το HS54095TZ-E, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HS54095TZ-E Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : HS54095TZ-E
    Κατασκευαστής : Renesas Electronics America
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Last Time Buy
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 600V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 200mA (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 Ohm @ 100mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 4.8nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 66pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 750mW (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-92-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-226-3, TO-92-3 Short Body

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • ZVP0120ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

    • HUF75829D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.

    • FQD11P06TF

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

    • FDD6696

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK.

    • IRLR3715PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

    • NP90N055VUK-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 55V 90A TO-220.