Αριθμός εξαρτήματος :
NHPM120T3G
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1V @ 1A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
25ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
500nA @ 200V
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
Powermite
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 175°C