Vishay Semiconductor Diodes Division - ES1D-E3/5AT

KEY Part #: K6455080

ES1D-E3/5AT Τιμολόγηση (USD) [1099474τεμ]

  • 1 pcs$0.03364
  • 7,500 pcs$0.02848
  • 15,000 pcs$0.02532
  • 37,500 pcs$0.02373
  • 52,500 pcs$0.02110

Αριθμός εξαρτήματος:
ES1D-E3/5AT
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC and Δίοδοι - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division ES1D-E3/5AT. Το ES1D-E3/5AT μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το ES1D-E3/5AT, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1D-E3/5AT Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : ES1D-E3/5AT
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 920mV @ 1A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 25ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 200V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-214AC, SMA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-214AC (SMA)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • RURD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MBRB40250TG

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers REC D2PAK 40A 250V SHOTTKY

  • VS-50WQ04FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • SD103AW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM

  • SD103BW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM