Taiwan Semiconductor Corporation - S8GC M6G

KEY Part #: K6457844

S8GC M6G Τιμολόγηση (USD) [718289τεμ]

  • 1 pcs$0.05149

Αριθμός εξαρτήματος:
S8GC M6G
Κατασκευαστής:
Taiwan Semiconductor Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - RF, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Taiwan Semiconductor Corporation S8GC M6G. Το S8GC M6G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το S8GC M6G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S8GC M6G Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : S8GC M6G
Κατασκευαστής : Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Not For New Designs
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 400V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 8A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 985mV @ 8A
Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 400V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 48pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-214AB, SMC
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-214AB (SMC)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns