BAS16LT1G Τιμολόγηση (USD) [4680751τεμ]
- 1 pcs$0.00790
- 3,000 pcs$0.00788
- 6,000 pcs$0.00710
- 15,000 pcs$0.00618
- 30,000 pcs$0.00556
- 75,000 pcs$0.00494
- 150,000 pcs$0.00411
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BAS16LT1G
- Κατασκευαστής:
- ON Semiconductor
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75V 200mA
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor BAS16LT1G. Το BAS16LT1G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BAS16LT1G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
BAS16LT1G Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
BAS16LT1G
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Σειρά :
-
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος διόδου :
Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
200mA (DC)
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.25V @ 150mA
Ταχύτητα :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
6ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
1µA @ 100V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
SOT-23-3 (TO-236)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Hot Parts
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G