Αριθμός εξαρτήματος :
DMN32D2LFB4-7
Κατασκευαστής :
Diodes Incorporated
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
300mA (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
39pF @ 3V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
350mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
X2-DFN1006-3