GeneSiC Semiconductor - MBRT600100R

KEY Part #: K6468484

Λεπτομερής περιγραφή:: DIODE MODULE 100V 600A 3TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 600A100P/70R

Κατηγορίες Οικογένειας:: KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - JFET and Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες ...

Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:: Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor MBRT600100R. Το MBRT600100R μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το MBRT600100R, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com

Αριθμός εξαρτήματος : MBRT600100R

Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor

Περιγραφή : DIODE MODULE 100V 600A 3TOWER

Σειρά : -

Κατάσταση εξαρτήματος : Active

Διαμόρφωση διόδου : 1 Pair Common Anode

Τύπος διόδου : Schottky

Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 100V

Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο) : 600A (DC)

Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 880mV @ 300A

Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -

Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 1mA @ 20V

Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -

Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount

Πακέτο / Θήκη : Three Tower

Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Three Tower

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
ATF-34143-TR1

Broadcom Limited

FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343.
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.

Hot Parts