IXYS - IXTP50N20P

KEY Part #: K6394990

IXTP50N20P Τιμολόγηση (USD) [33250τεμ]

  • 1 pcs$1.37025
  • 50 pcs$1.36344

Αριθμός εξαρτήματος:
IXTP50N20P
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 50A TO-220.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXTP50N20P. Το IXTP50N20P μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXTP50N20P, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP50N20P Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXTP50N20P
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 200V 50A TO-220
Σειρά : PolarHT™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 200V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2720pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 360W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220AB
Πακέτο / Θήκη : TO-220-3