Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GA200TH60S

KEY Part #: K6533232

VS-GA200TH60S Τιμολόγηση (USD) [225τεμ]

  • 1 pcs$205.24209
  • 12 pcs$168.35316

Αριθμός εξαρτήματος:
VS-GA200TH60S
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GA200TH60S. Το VS-GA200TH60S μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το VS-GA200TH60S, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GA200TH60S Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : VS-GA200TH60S
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : -
Διαμόρφωση : Half Bridge
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 600V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 260A
Ισχύς - Μέγ : 1042W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 200A (Typ)
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 5µA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 13.1nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : No
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : Double INT-A-PAK (3 + 4)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Double INT-A-PAK

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT100GLQ65JU2

    Microsemi Corporation

    POWER MODULE - IGBT.

  • APT40GL120JU2

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.