IXYS - IXTT30N50P

KEY Part #: K6395155

IXTT30N50P Τιμολόγηση (USD) [14299τεμ]

  • 1 pcs$3.33078
  • 30 pcs$3.31421

Αριθμός εξαρτήματος:
IXTT30N50P
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXTT30N50P. Το IXTT30N50P μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXTT30N50P, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT30N50P Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXTT30N50P
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
Σειρά : PolarHV™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 500V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 4150pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 460W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-268
Πακέτο / Θήκη : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA