Αριθμός εξαρτήματος :
SI2305CDS-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
8V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
5.8A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
30nC @ 8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
960pF @ 4V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
SOT-23-3 (TO-236)
Πακέτο / Θήκη :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3