Vishay Siliconix - SI8475EDB-T1-E1

KEY Part #: K6406372

SI8475EDB-T1-E1 Τιμολόγηση (USD) [8653τεμ]

  • 3,000 pcs$0.10409

Αριθμός εξαρτήματος:
SI8475EDB-T1-E1
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - RF and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI8475EDB-T1-E1. Το SI8475EDB-T1-E1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI8475EDB-T1-E1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8475EDB-T1-E1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI8475EDB-T1-E1
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
Τύπος FET : P-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 4-Microfoot
Πακέτο / Θήκη : 4-XFBGA, CSPBGA