Infineon Technologies - IRFSL31N20D

KEY Part #: K6414677

[12672τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IRFSL31N20D
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 200V 31A TO-262.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IRFSL31N20D. Το IRFSL31N20D μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IRFSL31N20D, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFSL31N20D Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IRFSL31N20D
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
    Σειρά : HEXFET®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 200V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 31A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 82 mOhm @ 18A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 110nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2370pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 3.1W (Ta), 200W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-262
    Πακέτο / Θήκη : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • 94-2335

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

    • IRLR8503

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.

    • IRFR18N15D

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.

    • IRLR3303TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.

    • IRLR3103TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

    • IRLIZ34G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP.