Infineon Technologies - IPB160N04S2L03ATMA2

KEY Part #: K6401767

[2936τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPB160N04S2L03ATMA2
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH TO262-7.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Μονάδες οδηγού ισχύος and Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPB160N04S2L03ATMA2. Το IPB160N04S2L03ATMA2 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPB160N04S2L03ATMA2, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPB160N04S2L03ATMA2 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPB160N04S2L03ATMA2
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH TO262-7
    Σειρά : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Discontinued at Digi-Key
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 40V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 160A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 80A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 230nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 6000pF @ 15V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 300W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO263-7-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • ZVN4310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3.

    • VN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

    • TN5325N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

    • IRFI4228PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

    • SI1471DH-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6.

    • PMN70XPEAX

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.