Αριθμός εξαρτήματος :
SQJ422EP-T1_GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Σειρά :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
40V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
74A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
100nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
4660pF @ 20V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
83W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerPAK® SO-8
Πακέτο / Θήκη :
PowerPAK® SO-8