Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J46CTB(TPL3)

KEY Part #: K6416458

SSM3J46CTB(TPL3) Τιμολόγηση (USD) [934746τεμ]

  • 1 pcs$0.04375
  • 10,000 pcs$0.04353

Αριθμός εξαρτήματος:
SSM3J46CTB(TPL3)
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 2A CST3B.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J46CTB(TPL3). Το SSM3J46CTB(TPL3) μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SSM3J46CTB(TPL3), παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3J46CTB(TPL3) Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SSM3J46CTB(TPL3)
Κατασκευαστής : Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή : MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
Σειρά : U-MOSVI
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : P-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 4.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 10V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : -
Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : CST3B
Πακέτο / Θήκη : 3-SMD, No Lead

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • FDD6685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 11A DPAK.