Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP10AHE3/54

KEY Part #: K6447640

[1356τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    EGP10AHE3/54
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division EGP10AHE3/54. Το EGP10AHE3/54 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το EGP10AHE3/54, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGP10AHE3/54 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : EGP10AHE3/54
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
    Σειρά : SUPERECTIFIER®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Standard
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 50V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 950mV @ 1A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 50ns
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 50V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : 22pF @ 4V, 1MHz
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο / Θήκη : DO-204AL, DO-41, Axial
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-204AL (DO-41)
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 150°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • RURD660S9A-F085

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

    • RURD660S9A-F085P

      ON Semiconductor

      UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

    • FFSD08120A

      ON Semiconductor

      1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • VS-8EWL06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast