Microsemi Corporation - APT39F60J

KEY Part #: K6392627

APT39F60J Τιμολόγηση (USD) [3105τεμ]

  • 1 pcs$15.34450
  • 10 pcs$14.19412
  • 100 pcs$12.12266

Αριθμός εξαρτήματος:
APT39F60J
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation APT39F60J. Το APT39F60J μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το APT39F60J, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT39F60J Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : APT39F60J
Κατασκευαστής : Microsemi Corporation
Περιγραφή : MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
Σειρά : POWER MOS 8™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 42A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 280nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 11300pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 480W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : ISOTOP®
Πακέτο / Θήκη : SOT-227-4, miniBLOC

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VN3205N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • FDD8796

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

  • FQD7N30TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK.

  • FQD5N20LTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK.

  • FDD3670

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK.

  • HUF76609D3ST

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.