Microsemi Corporation - APT80GP60J

KEY Part #: K6532686

APT80GP60J Τιμολόγηση (USD) [2385τεμ]

  • 1 pcs$18.15673
  • 10 pcs$16.98041
  • 25 pcs$15.70439
  • 100 pcs$14.72279
  • 250 pcs$13.74127

Αριθμός εξαρτήματος:
APT80GP60J
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT 600V 151A 462W SOT227.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία and Θυρίστορες - TRIAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation APT80GP60J. Το APT80GP60J μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το APT80GP60J, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT80GP60J Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : APT80GP60J
Κατασκευαστής : Microsemi Corporation
Περιγραφή : IGBT 600V 151A 462W SOT227
Σειρά : POWER MOS 7®
Κατάσταση εξαρτήματος : Not For New Designs
Τύπος IGBT : PT
Διαμόρφωση : Single
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 600V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 151A
Ισχύς - Μέγ : 462W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 80A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 1mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 9.84nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : No
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : ISOTOP
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : ISOTOP®

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.