Diodes Incorporated - DMT69M8LPS-13

KEY Part #: K6416946

DMT69M8LPS-13 Τιμολόγηση (USD) [45795τεμ]

  • 2,500 pcs$0.17663

Αριθμός εξαρτήματος:
DMT69M8LPS-13
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Δίοδοι - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Diodes Incorporated DMT69M8LPS-13. Το DMT69M8LPS-13 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το DMT69M8LPS-13, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT69M8LPS-13 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : DMT69M8LPS-13
Κατασκευαστής : Diodes Incorporated
Περιγραφή : MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
Σειρά : Automotive, AEC-Q101
Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 10.2A (Ta), 70A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 33.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1925pF @ 30V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2.3W (Ta), 113W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerDI5060-8
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerTDFN

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.