Vishay Semiconductor Diodes Division - HFA16TB120S

KEY Part #: K6451187

[144τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    HFA16TB120S
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division HFA16TB120S. Το HFA16TB120S μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το HFA16TB120S, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HFA16TB120S Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : HFA16TB120S
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK
    Σειρά : HEXFRED®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Standard
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 1200V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 16A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 3V @ 16A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 135ns
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 20µA @ 1200V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : -
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : D2PAK
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • MA3XD1100L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 20V 1A MINI3.

    • 8EWS10STRL

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

    • 8EWS12STRL

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • 8EWS10S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

    • 8EWS08STRL

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK.

    • 8EWS08STR

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK.