Αριθμός εξαρτήματος :
MBR600200CTR
Κατασκευαστής :
GeneSiC Semiconductor
Περιγραφή :
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Διαμόρφωση διόδου :
1 Pair Common Anode
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο) :
300A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
920mV @ 300A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
-
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
3mA @ 200V
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C
Τύπος συναρμολόγησης :
Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη :
Twin Tower
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
Twin Tower