Vishay Siliconix - SIHB24N65ET1-GE3

KEY Part #: K6417113

SIHB24N65ET1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [25088τεμ]

  • 1 pcs$1.64271

Αριθμός εξαρτήματος:
SIHB24N65ET1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 24A TO263.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - JFET, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες and Θυρίστορ - SCR - Μονάδες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SIHB24N65ET1-GE3. Το SIHB24N65ET1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SIHB24N65ET1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB24N65ET1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SIHB24N65ET1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Σειρά : E
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 650V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 145 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2740pF @ 100V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 250W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-263 (D²Pak)
Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB