Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-100MT060WDF

KEY Part #: K6532808

VS-100MT060WDF Τιμολόγηση (USD) [1434τεμ]

  • 1 pcs$30.20562
  • 105 pcs$28.76727

Αριθμός εξαρτήματος:
VS-100MT060WDF
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT 600V 121A 462W MTP. Bridge Rectifiers Output & SW Modules - MTP SWITCH-e3
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - RF and Μονάδες οδηγού ισχύος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division VS-100MT060WDF. Το VS-100MT060WDF μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το VS-100MT060WDF, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-100MT060WDF Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : VS-100MT060WDF
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : IGBT 600V 121A 462W MTP
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : -
Διαμόρφωση : -
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 600V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 121A
Ισχύς - Μέγ : 462W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.29V @ 15V, 60A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 100µA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 9.5nF @ 30V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : Yes
Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : 16-MTP Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : MTP

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT