Εάν η τοποθεσία σας δεν περιλαμβάνεται στη λίστα, επιλέξτε ένα από τα παρακάτω:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Εάν η τοποθεσία σας δεν περιλαμβάνεται στη λίστα, επιλέξτε ένα από τα παρακάτω:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Σπίτι
  2. Προϊόντα
  3. Ολοκληρωμένα Κυκλώματα (IC)
  4. Μνήμη
  5. TC58BYG0S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG0S3HBAI4

KEY Part #: K939351

TC58BYG0S3HBAI4 Τιμολόγηση (USD) [24757τεμ]

  • 1 pcs$1.85094
Αριθμός εξαρτήματος:
TC58BYG0S3HBAI4
Κατασκευαστής:
Toshiba Memory America, Inc.
Λεπτομερής περιγραφή:
1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: PMIC - Ρυθμιστές τάσης - Ειδικός σκοπός, PMIC - ρυθμιστές τάσης - ελεγκτές γραμμικού ρυθμισ, Καταχωρητές λογικής - μετατόπισης, Διασύνδεση - Κωδικοποιητές, αποκωδικοποιητές, μετα, PMIC - αναφορά τάσης, Διασύνδεση - Φίλτρα - Ενεργό, Γραμμικοί - Ενισχυτές - Όργανα, Οπτικοί ενισχυτές, and Απόκτηση δεδομένων - Ελεγκτές οθόνης αφής ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG0S3HBAI4. Το TC58BYG0S3HBAI4 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το TC58BYG0S3HBAI4, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG0S3HBAI4 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : TC58BYG0S3HBAI4
Κατασκευαστής : Toshiba Memory America, Inc.
Περιγραφή : 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
Σειρά : Benand™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος μνήμης : Non-Volatile
Μορφή μνήμης : FLASH
Τεχνολογία : FLASH - NAND (SLC)
Μέγεθος μνήμης : 1Gb (128M x 8)
Συχνότητα ρολογιού : -
Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page : 25ns
Χρόνος πρόσβασης : -
Διασύνδεση μνήμης : -
Τάση - Προμήθεια : 1.7V ~ 1.95V
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 85°C (TA)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 63-VFBGA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 63-TFBGA (9x11)

Τελευταία νέα

Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • U62256ADK07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

Hot Parts