Αριθμός εξαρτήματος :
DF200R12W1H3B27BOMA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Διαμόρφωση :
2 Independent
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) :
1200V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) :
30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
1.3V @ 15V, 30A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) :
1mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce :
2nF @ 25V
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 150°C
Τύπος συναρμολόγησης :
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
Module