Infineon Technologies - BSM100GB60DLCHOSA1

KEY Part #: K6532518

BSM100GB60DLCHOSA1 Τιμολόγηση (USD) [1225τεμ]

  • 1 pcs$35.35442

Αριθμός εξαρτήματος:
BSM100GB60DLCHOSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT MODULE 600V 130A.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays and Θυρίστορες - DIAC, SIDAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies BSM100GB60DLCHOSA1. Το BSM100GB60DLCHOSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BSM100GB60DLCHOSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM100GB60DLCHOSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : BSM100GB60DLCHOSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : IGBT MODULE 600V 130A
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Not For New Designs
Τύπος IGBT : -
Διαμόρφωση : Single
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 600V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 130A
Ισχύς - Μέγ : 445W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 100A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 500µA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : -
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : No
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 125°C
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Module

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.