Αριθμός εξαρτήματος :
EPC2015C
Περιγραφή :
GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
GaNFET (Gallium Nitride)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
40V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
53A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 9mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
8.7nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1180pF @ 20V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
-
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
Die