Infineon Technologies - IPG20N06S4L11ATMA1

KEY Part #: K6525156

IPG20N06S4L11ATMA1 Τιμολόγηση (USD) [101237τεμ]

  • 1 pcs$0.38623
  • 5,000 pcs$0.29805

Αριθμός εξαρτήματος:
IPG20N06S4L11ATMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - JFET and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPG20N06S4L11ATMA1. Το IPG20N06S4L11ATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPG20N06S4L11ATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N06S4L11ATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IPG20N06S4L11ATMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Σειρά : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 28µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 53nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 4020pF @ 25V
Ισχύς - Μέγ : 65W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerVDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TDSON-8-4

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • 2N7002DW

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6.

  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.