Infineon Technologies - IPD80R1K4CEBTMA1

KEY Part #: K6402746

[2597τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPD80R1K4CEBTMA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPD80R1K4CEBTMA1. Το IPD80R1K4CEBTMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPD80R1K4CEBTMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD80R1K4CEBTMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPD80R1K4CEBTMA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
    Σειρά : CoolMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Discontinued at Digi-Key
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 800V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 3.9A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 240µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 23nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 570pF @ 100V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 63W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-252-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • GP2M008A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK.

    • AUIRFR540Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 100V 35A DPAK.

    • GP2M004A065CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 650V 4A DPAK.

    • GP2M004A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4A DPAK.