Vishay Siliconix - SI8808DB-T2-E1

KEY Part #: K6418968

SI8808DB-T2-E1 Τιμολόγηση (USD) [564299τεμ]

  • 1 pcs$0.06587
  • 3,000 pcs$0.06555

Αριθμός εξαρτήματος:
SI8808DB-T2-E1
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V MICROFOOT.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI8808DB-T2-E1. Το SI8808DB-T2-E1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI8808DB-T2-E1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8808DB-T2-E1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI8808DB-T2-E1
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 10nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 15V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 4-Microfoot
Πακέτο / Θήκη : 4-UFBGA

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

  • AUIRFR4620TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 200V 24A DPAK.

  • AUIRFR8405TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.