Vishay Semiconductor Diodes Division - LS4150GS18

KEY Part #: K6458667

LS4150GS18 Τιμολόγηση (USD) [3812532τεμ]

  • 1 pcs$0.00970
  • 10,000 pcs$0.00914

Αριθμός εξαρτήματος:
LS4150GS18
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 600mA 4.0 Amp IFSM
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division LS4150GS18. Το LS4150GS18 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το LS4150GS18, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

LS4150GS18 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : LS4150GS18
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80
Σειρά : Automotive, AEC-Q101
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 50V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 600mA
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1V @ 200mA
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 4ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 100nA @ 50V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 2.5pF @ 0V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : SOD-80 Variant
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOD-80 QuadroMELF
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : 175°C (Max)

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode