Comchip Technology - CEFB201-G

KEY Part #: K6446578

[1718τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    CEFB201-G
    Κατασκευαστής:
    Comchip Technology
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Comchip Technology CEFB201-G. Το CEFB201-G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το CEFB201-G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    CEFB201-G Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : CEFB201-G
    Κατασκευαστής : Comchip Technology
    Περιγραφή : DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Standard
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 50V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 2A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 875mV @ 2A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 25ns
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 50V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : -
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο / Θήκη : DO-214AA, SMB
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-214AA (SMB)
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : 150°C (Max)

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • BAT54-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

    • IDB18E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

    • VS-50WQ10FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ04FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK.

    • VS-30CPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.

    • VS-80EPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.