IXYS - IXTJ6N150

KEY Part #: K6395805

IXTJ6N150 Τιμολόγηση (USD) [9917τεμ]

  • 1 pcs$4.59424
  • 60 pcs$4.57138

Αριθμός εξαρτήματος:
IXTJ6N150
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXTJ6N150. Το IXTJ6N150 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXTJ6N150, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTJ6N150 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXTJ6N150
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1500V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.85 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 67nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2230pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3