Infineon Technologies - ND261N22KHPSA1

KEY Part #: K6441808

ND261N22KHPSA1 Τιμολόγηση (USD) [671τεμ]

  • 1 pcs$69.20527

Αριθμός εξαρτήματος:
ND261N22KHPSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GP 2.2KV 260A BG-PB50ND-1.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies ND261N22KHPSA1. Το ND261N22KHPSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το ND261N22KHPSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ND261N22KHPSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : ND261N22KHPSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : DIODE GP 2.2KV 260A BG-PB50ND-1
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Last Time Buy
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 2200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 260A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : -
Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 40mA @ 2200V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : BG-PB50ND-1
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -40°C ~ 135°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • CDBDSC3650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

  • CDBDSC51200-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

  • VS-30EPH06-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

  • VS-60APU02-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins

  • VS-60APU06PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp

  • VS-60APH03-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt