Infineon Technologies - DF300R07PE4B6BOSA1

KEY Part #: K6532695

DF300R07PE4B6BOSA1 Τιμολόγηση (USD) [593τεμ]

  • 1 pcs$78.19050

Αριθμός εξαρτήματος:
DF300R07PE4B6BOSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT MODULE VCES 650V 300A.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies DF300R07PE4B6BOSA1. Το DF300R07PE4B6BOSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το DF300R07PE4B6BOSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF300R07PE4B6BOSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : DF300R07PE4B6BOSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : IGBT MODULE VCES 650V 300A
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : Trench Field Stop
Διαμόρφωση : Three Phase Inverter
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 650V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 300A
Ισχύς - Μέγ : 940W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 300A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 1mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 18.5nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : Yes
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Module

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.