Infineon Technologies - BSM35GB120DN2HOSA1

KEY Part #: K6534567

BSM35GB120DN2HOSA1 Τιμολόγηση (USD) [1407τεμ]

  • 1 pcs$30.77192

Αριθμός εξαρτήματος:
BSM35GB120DN2HOSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT 2 MED POWER 34MM-1.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto and Δίοδοι - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies BSM35GB120DN2HOSA1. Το BSM35GB120DN2HOSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BSM35GB120DN2HOSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM35GB120DN2HOSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : BSM35GB120DN2HOSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Not For New Designs
Τύπος IGBT : -
Διαμόρφωση : Half Bridge
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 1200V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 50A
Ισχύς - Μέγ : 280W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3.2V @ 15V, 35A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 1mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 2nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : No
Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Module

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A2P75S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A1C15S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 15A ACEPACK1.