IXYS - IXTZ550N055T2

KEY Part #: K6394783

IXTZ550N055T2 Τιμολόγηση (USD) [3966τεμ]

  • 1 pcs$13.14226
  • 20 pcs$13.07687

Αριθμός εξαρτήματος:
IXTZ550N055T2
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 55V 550A DE475.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Θυρίστορ - SCRs ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXTZ550N055T2. Το IXTZ550N055T2 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXTZ550N055T2, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTZ550N055T2 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXTZ550N055T2
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 55V 550A DE475
Σειρά : FRFET®, SupreMOS®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 55V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 550A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 595nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 40000pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 600W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DE475
Πακέτο / Θήκη : DE475