Αριθμός εξαρτήματος :
1N5419E3
Κατασκευαστής :
Microsemi Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
500V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
3A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.5V @ 9A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
250ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
1µA @ 500V
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
-
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 175°C